高端芯片代工场的竞争正趋于白热化，这促使代工场增添资源付出，以满意客户对最新节点的出产需要。但是在这一年夜势之下，三星据称将增添其代工部分的付出。据媒体引述新闻人士的话称，三星代工部分将在新的一年中将资源付出增添一半以上，仅拨款5万亿韩元（约35亿美元），而客岁这一数字为10万亿韩元。从前近10年来，三星每年都在芯片代工跟内存出产商投入数十亿美元。这一战略的变革可能反应出三星在客户需要下面临费事，以及公司盼望进步效力的志愿。三星据悉在进步制作工艺上始终延期且良品率反复低于预期，招致其很难吸引到年夜型客户。新闻还称，三星位于韩国平泽工场，担任出产4-7纳米级芯片的出产线的应用率降落了30%以上。与此同时，台积电在上周表现，往年将年夜幅增添资源付出，为来岁出产2纳米级芯片做筹备。英特尔也表现将踊跃参加2纳米级芯片的竞争，估计将小幅增添其资源付出。攻守拙化三星可能将把2025年的重点放在韩国华城工场的S3跟平泽工场的P2设备之上。S3中3纳米芯片的产线可能局部进级为2纳米，这多少乎不须要添置大批的全重生产装备就能够实现。而到2025年，P2估计将装置一条1.4纳米芯片的测试线，月产能预估在2000-3000片晶圆。别的，三星还将对其余地域的工场停止小范围投资，如其位于美国的泰勒工场，打算是进级现有晶圆厂，而不是扩展产能。这种守旧战略与台积电的猖狂扩大构成赫然对照。台积电打算在2025年投资380亿-420亿美元的资金，较2024年的297.6亿美元明显增添。此中70%的投资将流入进步工艺，10-20%则被调配给特别技巧，剩下的局部投向进步封装、测试、掩模制作跟其余范畴。这也与台积电在2025年下半年量产2纳米芯片的计划符合。台积电宣称，打算中的2纳米试出产芯片数目高于此前3纳米跟4纳米芯片的试出产数目，这代表着该公司将须要更多的2纳米产能。英特尔则也打算在往年晚些时间进步其18A制作工艺的芯片出产数目，同时为下一代节点停止筹备。业内估计，该公司往年的资源付出将从2024年的110亿-130亿进步至120亿-140亿美元。
