快科技2月5日新闻，3D NAND闪存的计划跟制作十分依附存储单位重叠，由此能够年夜幅增添存储密度与容量，下降本钱。近来，来自Lam Research、科罗拉多年夜学博尔德分校、美国动力部普林斯顿等离子体物理试验室(PPPL)的浩繁迷信家结合计划了一种新的蚀刻工艺。该方式应用氟化氢等离子体，将硅资料垂纵贯道的蚀刻效力进步了一倍，只要1分钟即可蚀刻640纳米。此中的要害是在氧化硅跟氮化硅瓜代层上刻孔，并将分层资料裸露在等离子体情势的化学物资中，让等离子体中的原子与分层资料中的原子彼此感化，从而蚀刻出孔洞通道。研讨还发明，联合三氟化磷等特定化学资料，能够进一步改良蚀刻工艺。别的，一些副产物会影响蚀刻效力，然而只要参加水，就能处理这一成绩，比方水能让盐在高温下剖析，从而减速蚀刻。【本文停止】如需转载请务必注明出处：快科技义务编纂：上方文Q
